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上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统 信息推荐 上海光织科技供应

上传时间:2025-09-29 浏览次数:
文章摘要:从工艺实现层面看,多芯MT-FA光组件的三维耦合技术涉及多学科交叉的精密制造流程。首先,光纤阵列的制备需通过V-Groove基片实现光纤的等间距排列,并采用UV胶水或混合胶水进行固定,确保通道间距误差小于0.5μm。随后,利用高精

从工艺实现层面看,多芯MT-FA光组件的三维耦合技术涉及多学科交叉的精密制造流程。首先,光纤阵列的制备需通过V-Groove基片实现光纤的等间距排列,并采用UV胶水或混合胶水进行固定,确保通道间距误差小于0.5μm。随后,利用高精度运动平台将研磨后的MT-FA组件与光芯片进行垂直对准,这一过程需依赖亚微米级的光学对准系统,通过实时监测耦合效率动态调整位置。在封装环节,三维耦合技术采用非气密性或气密性封装方案,前者通过点胶固化实现机械固定,后者则需在氮气环境中完成焊接,以防止水汽侵入导致的性能衰减。三维光子互连芯片通过三维堆叠技术,实现芯片功能的立体式扩展与升级。上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统

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某团队采用低温共烧陶瓷(LTCC)作为中间层,通过弹性模量梯度设计缓解热应力,使80通道三维芯片在-40℃至85℃温度范围内保持稳定耦合。其三,低功耗光电转换。针对接收端功耗过高的问题,某方案采用垂直p-n结锗光电二极管,通过优化耗尽区与光学模式的重叠,将响应度提升至1A/W,同时电容降低至17fF,使10Gb/s信号接收时的能耗降至70fJ/bit。这些技术突破使得三维多芯MT-FA方案在800G/1.6T光模块中展现出明显优势:相较于传统可插拔光模块,其功耗降低60%,空间占用减少50%,且支持CPO(光电共封装)架构下的光引擎与ASIC芯片直接互连,为AI训练集群的规模化部署提供了高效、低成本的解决方案。上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统Lightmatter公司发布的M1000芯片,通过3D光子互连层提供114Tbps总带宽。

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多芯MT-FA光纤阵列作为光通信领域的关键组件,正通过高密度集成与低损耗特性重塑数据中心与AI算力的连接架构。其重要设计基于V形槽基片实现光纤阵列的精密排列,单模块可集成8至24芯光纤,相邻光纤间距公差控制在±0.5μm以内,确保多通道光信号传输的均匀性与稳定性。在400G/800G光模块中,MT-FA通过研磨成42.5°反射镜的端面设计,实现光信号的全反射耦合,将插入损耗压缩至0.35dB以下,回波损耗提升至60dB以上,明显降低信号衰减与反射干扰。这种设计尤其适用于硅光模块与相干光通信场景,其中保偏型MT-FA可维持光波偏振态稳定,支持相干接收技术的高灵敏度需求。随着1.6T光模块技术演进,MT-FA的通道密度与集成度持续突破,通过MPO/MT转FA扇出结构,可实现单模块48芯甚至更高密度的并行传输,满足AI训练中海量数据实时交互的带宽需求。其工作温度范围覆盖-40℃至+85℃,适应数据中心严苛环境,成为高可靠性光互连的重要选择。

在制造工艺层面,高性能多芯MT-FA的三维集成面临多重技术挑战与创新突破。其一,多材料体系异质集成要求光波导层与硅基电路的热膨胀系数匹配,通过引入氮化硅缓冲层,可解决高温封装过程中的应力开裂问题。其二,层间耦合精度需控制在亚微米级,采用飞秒激光直写技术可在玻璃基板上直接加工三维光子结构,实现倏逝波耦合效率超过95%。其三,高密度封装带来的热管理难题,通过在MT-FA阵列底部嵌入微通道液冷层,可将工作温度稳定在60℃以下,确保长期运行的可靠性。此外,三维集成工艺中的自动化装配技术,如高精度V槽定位与紫外胶固化协同系统,可将多芯MT-FA的通道对齐误差缩小至±0.3μm,满足400G/800G光模块对耦合精度的极端要求。这些技术突破不仅推动了光组件向更高集成度演进,更为6G通信、量子计算等前沿领域提供了基础器件支撑。三维光子互连芯片的垂直堆叠设计,为芯片内部的热量管理提供了更大的空间。

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多芯MT-FA在三维光子集成系统中的创新应用,明显提升了光收发模块的并行传输能力与系统可靠性。传统并行光模块依赖外部光纤跳线实现多通道连接,存在布线复杂、损耗波动大等问题,而三维集成架构将MT-FA直接嵌入光子芯片封装层,通过阵列波导与微透镜的协同设计,实现了80路光信号在芯片级尺度上的同步收发。这种内嵌式连接方案将光路损耗控制在0.2dB/通道以内,较传统方案降低60%,同时通过热压键合工艺确保了铜柱凸点在10μm直径下的长期稳定性,使模块在85℃高温环境下仍能保持误码率低于1e-12。更关键的是,MT-FA的多通道均匀性特性解决了三维集成中因层间堆叠导致的光功率差异问题,通过动态调整各通道耦合系数,确保了80路信号在800Gbps传输速率下的同步性。随着AI算力集群对1.6T光模块需求的爆发,这种将多芯MT-FA与三维光子集成深度结合的技术路径,正成为突破光互连功耗墙与密度墙的重要解决方案,为下一代超算中心与智能数据中心的光传输架构提供了变革性范式。三维光子互连芯片的标准化接口研发,促进不同厂商设备间的兼容与协作。上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统

三维光子互连芯片的出现,为数据中心的高效能管理提供了全新解决方案。上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统

三维光子互连技术与多芯MT-FA光纤适配器的融合,正推动光通信系统向更高密度、更低功耗的方向突破。传统光模块受限于二维平面布局,在800G及以上速率场景中面临信号串扰与布线复杂度激增的挑战。而三维光子互连通过垂直堆叠光波导层,将光子器件的集成密度提升至每平方毫米数百通道,配合多芯MT-FA适配器中12至36通道的并行传输能力,可实现单模块2.56Tbps的聚合带宽。这种结构创新的关键在于MT-FA适配器采用的42.5°全反射端面设计与低损耗MT插芯,其V槽间距公差控制在±0.5μm以内,确保多芯光纤阵列与光子芯片的耦合损耗低于0.3dB。实验数据显示,采用三维布局的800G光模块在25℃环境下连续运行72小时,误码率稳定在10^-12量级,较传统方案提升两个数量级。同时,三维结构通过缩短光子器件间的水平距离,使电磁耦合效应降低40%,配合波长复用技术,单波长通道密度可达16路,明显优化了数据中心机架的单位面积算力。上海基于多芯MT-FA的三维光子互连系统

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