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上海三维光子芯片用多芯MT-FA光耦合器 客户至上 上海光织科技供应

上传时间:2025-09-27 浏览次数:
文章摘要:三维光子互连芯片在数据传输过程中表现出低损耗和高效能的特点。传统电子芯片在数据传输过程中,由于电阻、电容等元件的存在,会产生一定的能量损耗。而光子芯片则利用光信号进行传输,光在传输过程中几乎不产生能量损耗,因此能够实现更高的能效比

三维光子互连芯片在数据传输过程中表现出低损耗和高效能的特点。传统电子芯片在数据传输过程中,由于电阻、电容等元件的存在,会产生一定的能量损耗。而光子芯片则利用光信号进行传输,光在传输过程中几乎不产生能量损耗,因此能够实现更高的能效比。此外,三维光子互连芯片还通过优化光子器件和电子器件之间的接口设计,减少了信号转换过程中的能量损失和延迟。这使得整个数据传输系统更加高效、稳定,能够更好地满足高速、低延迟的数据传输需求。通过使用三维光子互连芯片,企业可以构建更加高效、可靠的数据传输网络。上海三维光子芯片用多芯MT-FA光耦合器

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三维光子芯片的研发正推动光互连技术向更高集成度与更低能耗方向突破。传统光通信系统依赖镜片、晶体等分立器件实现光路调控,而三维光子芯片通过飞秒激光加工技术在微纳米尺度构建复杂波导结构,将光信号产生、复用与交换功能集成于单一芯片。例如,基于轨道角动量(OAM)模式的三维光子芯片,可在芯片内部实现多路信号的空分复用(SDM),通过沟槽波导设计完成OAM模式的产生、解复用及交换。实验数据显示,该芯片输出的OAM模式相位纯度超过92%,且偏振态稳定性优异,双折射效应极低。这种设计不仅突破了传统复用方式(如波长、偏振)的容量限制,更通过片上集成大幅降低了系统复杂度与功耗。在芯片间光互连场景中,三维光子芯片与单模光纤耦合后,可实现两路OAM模式复用传输,串扰低于-14.1dB,光信噪比(OSNR)代价在误码率3.8×10⁻³时分别小于1.3dB和3.5dB,验证了其作为下一代光互连重要器件的潜力。上海三维光子集成多芯MT-FA光传输组件三维光子互连芯片通过光信号的并行处理,提高了数据的处理效率和吞吐量。

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从技术实现层面看,三维光子芯片与多芯MT-FA的协同设计突破了传统二维平面的限制。三维光子芯片通过硅基光电子学技术,在芯片内部构建多层光波导网络,结合微环谐振器、马赫-曾德尔干涉仪等结构,实现光信号的调制、滤波与路由。而多芯MT-FA组件则通过高精度V槽基板与定制化端面角度,将外部光纤阵列与芯片光波导精确对准,形成芯片-光纤-芯片的无缝连接。这种方案不仅降低了系统布线复杂度,更通过减少电光转换次数明显降低了功耗。以1.6T光模块为例,采用三维光子芯片与多芯MT-FA的组合设计,可使单模块功耗较传统方案降低30%以上,同时支持CXP、CDFP等多种高速接口标准,适配以太网、Infiniband等多元网络协议。随着硅光集成技术的成熟,该方案在模场转换、保偏传输等场景下的应用潜力进一步释放,为下一代数据中心、超级计算机及6G通信网络提供了高性能、低成本的解决方案。

多芯MT-FA光纤适配器作为三维光子互连系统的物理层重要,其性能突破直接决定了整个光网络的可靠性。该适配器采用陶瓷套筒实现微米级定位精度,端面间隙小于1μm,配合UPC/APC研磨工艺,使插入损耗稳定在0.15dB以下,回波损耗超过60dB。在高速场景中,适配器需支持LC双工、MTP/MPO等高密度接口,1U机架较高可部署576芯连接,较传统方案提升3倍空间利用率。其弹簧锁扣设计确保1000次插拔后损耗波动不超过±0.1dB,满足7×24小时不间断运行需求。更关键的是,适配器通过优化多芯光纤的扇入扇出结构,将芯间串扰抑制在-40dB以下,配合OFDR解调技术,可实时监测各通道的光功率变化,误码预警响应时间缩短至毫秒级。在AI训练集群中,这种高精度适配器使光模块的并行传输效率提升60%,配合三维光子互连的立体波导网络,单芯片间的数据吞吐量突破5.12Tbps,为T比特级算力互联提供了硬件基础。利‌三维光子互连芯片‌,‌研究人员成功实现了超高速光信号传输,‌为下一代通信网络带来了进步。

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从技术实现层面看,多芯MT-FA光组件的集成需攻克三大重要挑战:其一,高精度制造工艺要求光纤阵列的通道间距误差控制在±0.5μm以内,以确保与TSV孔径的精确对齐;其二,低插损特性需通过特殊研磨工艺实现,典型产品插入损耗≤0.35dB,回波损耗≥60dB,满足AI算力场景下长时间高负载运行的稳定性需求;其三,热应力管理要求组件材料与硅基板的热膨胀系数匹配度极高,避免因温度波动导致的层间剥离。实际应用中,该组件已成功应用于1.6T光模块的3D封装,通过将光引擎与电芯片垂直堆叠,使单模块封装体积缩小40%,同时支持800G至1.6T速率的无缝升级。在AI服务器背板互联场景下,MT-FA组件可实现每平方毫米10万通道的光互连密度,较传统方案提升2个数量级。这种技术突破不仅推动了三维芯片向更高集成度演进,更为下一代光计算架构提供了基础支撑,预示着光互连技术将成为突破内存墙功耗墙的重要驱动力。三维光子互连芯片通过有效的散热设计,确保了芯片在高温环境下的稳定运行。上海三维光子芯片用多芯MT-FA光耦合器

汽车智能驾驶系统中,三维光子互连芯片助力多传感器数据快速融合处理。上海三维光子芯片用多芯MT-FA光耦合器

三维光子互连芯片的一个明显功能特点,是其采用的三维集成技术。传统电子芯片通常采用二维平面布局,这在一定程度上限制了芯片的集成度和数据传输带宽。而三维光子互连芯片则通过创新的三维集成技术,将多个光子器件和电子器件紧密地堆叠在一起,实现了更高密度的集成。这种三维集成方式不仅提高了芯片的集成度,还使得光信号在芯片内部能够更加高效地传输。通过优化光子器件和电子器件之间的接口设计,减少了信号转换过程中的能量损失和延迟。这使得整个数据传输系统更加高效、稳定,能够在保持高速度的同时,实现低功耗运行。上海三维光子芯片用多芯MT-FA光耦合器

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